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Diodes公司的碳化硅肖特基二极管提供领先业界的FoM及系统效率

Diodes公司(Diodes)近日宣布扩大碳化硅(SiC)产品组合，推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管。DSCxxA065LP系列的额定电流为4A、6A、8A、10A及12A，采用超高热效率的T-DFN8080-4封装，专为高···

OTFT和非晶硅晶体管有什么区别？

薄膜晶体管 （TFT） 已成为 LCD 和显示器等大面积电子产品的关键元件。它们通过控制单个像素实现更高的分辨率和对比度，而不会牺牲刷新率。继 1947 年晶体管发明后，最早的 TFT 迭代在 1950 年代末和 1960 年代初被提···

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人···

纳芯微推出车载视频SerDes芯片组NLS9116和NLS9246

纳芯微近日重磅推出基于全国产供应链、采用HSMT公有协议的车规级SerDes芯片组，包括单通道的加串器芯片NLS9116和四通道的解串器芯片NLS9246。该系列芯片专为ADAS（摄像头、域控制器）及智能座舱（摄像头、显示屏、域···

Molex莫仕尖端连接解决方案面向AI驱动的数据中心、移动设备和智能家电

随着中国数字环境不断发展，各个行业对高速、高性能连接解决方案的需求正在加速增长。作为全球电子产品领导者和连接技术创新者，Molex莫仕在刚结束的2025慕尼黑上海电子展(electronica China ) 上重点展示了用于人工···

电源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK? 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。···

芯驰科技扩大Arteris NoC IP技术授权

致力于加速系统级芯片（SoC）创建的系统IP领先供应商 Arteris, Inc.近日宣布，芯驰科技（SemiDrive）已扩大对Arteris片上网络（NoC）IP技术的授权许可。该经过硅验证的NoC IP技术将被用于解决芯驰科技（SemiDrive）开···

村田制作所与R&S开发测量Digital Envelope Tracking省电效果的RF系统

株式会社村田制作所（以下简称“村田”）与Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG（总部：德国慕尼黑，以下简称”Rohde & Schwarz公司”）联合开发了RF（Radio Frequency）1系统（以下简称“本系统”），用于测量村田专有的···

突破性的超表面充当无源射频滤波器

日本的研究人员开发了一种无源超表面，无需有源滤波器即可处理多径信号干扰。名古屋工业大学开发的时变互锁无源超表面在传输第一个信号的同时，无需电源或处理即可阻挡来自其他角度的延迟信号。这在容易受到干扰的 I···

是德科技推出全新KAI系列解决方案，增强AI数据中心的可扩展性

是德科技（NYSE: KEYS ）发布Keysight AI（KAI），这是一系列端到端的解决方案，旨在帮助客户通过仿真真实世界的AI工作负载来验证AI集群组件，从而扩展数据中心的AI处理能力。同时，是德科技还推出了三款新品：AI数据···